[发明专利]一种低损伤PECVD沉积高绝缘性SiO2薄膜的方法无效
| 申请号： | 201210315176.7 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102916093A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 李璟;王国宏;吴杰 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/56 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种低损伤PECVD沉积高绝缘性SiO2薄膜的方法，属于光电子器件制造技术领域，具体涉及氮化镓基发光二极管制造方法。本发明在SiO2薄膜的沉积过程中多次引入气体N2O对SiO2膜层进行氧化和纯化处理，N2O电离后产生的O离子与SiO2膜层表面存在的游离Si离子发生反应生成SiO2，与游离的H离子发生反应生成H2O,提高了SiO2膜层的纯度、绝缘性和致密性。使LED器件的开启电压从2.1v左右提高至2.3v以上。本发明具有对GaN基片损伤小、射频功率低和沉积SiO2薄膜绝缘性和致密性高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损伤 pecvd 沉积 绝缘性 sio sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低损伤PECVD沉积高绝缘性SiO2薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：1）将已进行过台面刻蚀、透明电极制备和PN电极蒸镀的LED基片放入PECVD真空室沉积一层厚度为50～200Å的SiO2薄膜；2）重复进行2～5次沉积SiO2薄膜，并在每次沉积前通入N2O对SiO2膜层进行进一步氧化和纯化处理；每次沉积的SiO2薄膜厚度为200～600Å，重复沉积后SiO2薄膜的总厚度为700～3000Å；3）通入N2O气对SiO2膜层再进行氧化和纯化处理。
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