[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201210315681.1 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102969415A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 李容京;林祐湜;徐在元 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/38;H01L33/14;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开一种发光器件。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一半导体层，该第一半导体层被掺杂有第一掺杂物同时包括第一区域和相对于第一区域成台阶的第二区域、第二半导体层，该第二半导体层被掺杂有不同于第一掺杂物的第二掺杂物同时设置在第二区域上、以及有源层，该有源层设置在第一半导体层和第二半导体层之间；第一电极，该第一电极设置在第一区域上；以及功能构件，该功能构件设置在与第一电极相邻的发光结构的一个侧表面和第一电极之间同时设置在第一区域处，其中，相对于第一区域的表面，该功能构件具有大于第一电极的高度并且小于发光结构的厚度的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括：第一半导体层，所述第一半导体层被掺杂有第一掺杂物同时包括第一区域和相对于所述第一区域成台阶的第二区域；第二半导体层，所述第二半导体层被掺杂有不同于所述第一掺杂物的第二掺杂物同时设置在所述第二区域上；以及有源层，所述有源层设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；第一电极，所述第一电极设置在所述第一半导体层的第一区域上；第二电极，所述第二电极设置在所述第二半导体层上；光透射电极层，所述光透射电极层设置在所述第二半导体层和所述第二电极之间；以及功能构件，所述功能构件设置在所述发光结构的一个侧表面和所述第一电极之间，其中，相对于所述发光结构的厚度方向，所述功能构件具有大于所述第一电极的高度并且小于所述发光结构的厚度的高度。
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