[发明专利]改善嵌入式非易失性存储器集成电路温度特性的方法在审
| 申请号： | 201210315713.8 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103680623A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善嵌入式非易失性存储器集成电路温度特性的方法；包括以下步骤：步骤一、在非易失性存储器电路内的特定地址中事先写入若干组代码，而每一组代码对应某个温度范围内的内部电路参数设置；步骤二、通过温度传感电路，在不同的温度范围内，分别调用各自的优化的内部电路参数设置。本发明可以降低因高温晶体管的漏电流会变大引起的芯片工作电流和待机电流变大的问题。保证芯片工作电流和待机电流基本不变的情况下加快芯片的运行速度。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 嵌入式 非易失性存储器 集成电路 温度 特性 方法 | ||
【主权项】：
一种改善嵌入式非易失性存储器集成电路温度特性的方法；其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在非易失性存储器电路内的特定地址中事先写入若干组代码，而每一组代码对应某个温度范围内的内部电路参数设置；步骤二、通过温度传感电路，在不同的温度范围内，分别调用各自的内部电路参数设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210315713.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于在闪存中实现二进制标志的方法
- 下一篇：半导体存储器器件和控制器
