[发明专利]氮化物半导体元件

摘要

根据1个实施方式，氮化物半导体元件具备：导电性基板；第1氮化物半导体层，直接或经由缓冲层设在导电性基板之上，由无掺杂的氮化物半导体构成；第2氮化物半导体层，设在第1氮化物半导体层之上，由具有比第1氮化物半导体层大的带隙的无掺杂或n型的氮化物半导体构成；异质结场效应晶体管，具有源电极、漏电极及栅电极；肖特基势垒二极管，具有阳电极及阴电极；第1及第2元件分离绝缘层；框架电极。该框架电极与源电极及导电性基板电连接，将异质结场效应晶体管及肖特基势垒二极管的外周包围。

主权项

一种氮化物半导体元件，具备：导电性基板；第1氮化物半导体层，直接或经由缓冲层设在上述导电性基板的上表面上，并且由无掺杂的氮化物半导体构成；第2氮化物半导体层，设在上述第1氮化物半导体层之上，并且由具有比上述第1氮化物半导体层大的带隙的无掺杂或n型的氮化物半导体构成；第1异质结场效应晶体管，具有：第1源电极，设在上述第2氮化物半导体层之上，并且与上述第2氮化物半导体层形成欧姆接合；第1漏电极，设在上述第2氮化物半导体层之上，并且与上述第2氮化物半导体层形成欧姆接合；和第1栅电极，设在上述第1源电极与上述第1漏电极之间，并且控制在上述第1氮化物半导体层与上述第2氮化物半导体层的界面处产生的二维电子气体的浓度；第1肖特基势垒二极管，具有：第1阳电极，设在上述第2氮化物半导体层之上，并与上述第2氮化物半导体层形成肖特基接合，并且与上述第1漏电极电连接；和第1阴电极，设在上述第2氮化物半导体层之上，并且与上述第2氮化物半导体层形成欧姆接合；第1元件分离绝缘层，设在从上述第1漏电极与上述第1阳电极之间的上述第2氮化物半导体层的上表面到上述第1氮化物半导体层的中途为止；第2元件分离绝缘层，设在从上述第1源电极与上述第1阴电极之间的上述第2氮化物半导体层的上表面到上述第1氮化物半导体层的中途为止；以及框架电极，与上述第1源电极及上述导电性基板电连接，并且将上述第1异质结场效应晶体管及上述第1肖特基势垒二极管的外周包围。