[发明专利]一种用于实现印刷柔性集成电路的互联、封装结构有效

专利信息
申请号: 201210316399.5 申请日: 2012-08-30
公开(公告)号: CN102832344A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 郭小军;冯林润;崔晴宇;徐小丽;唐伟 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/10;H01L27/28
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 祖志翔
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于实现印刷柔性集成电路的互联、封装结构,其中基本单元晶体管为底栅底接触结构,所述互联、封装结构包括有绝缘衬底、器件互联层、栅电极、栅极绝缘层、源漏电极、半导体层、缓冲层和封装层,其中,绝缘衬底位于所述互联、封装结构的底层,器件互联层位于绝缘衬底之上,栅电极位于器件互联层之上,栅极绝缘层覆盖器件互联层和栅电极,源漏电极位于栅极绝缘层之上,半导体层覆盖源漏电极电极之间的沟道区域,缓冲层覆盖栅极绝缘层、源漏电极和半导体层,封装层位于缓冲层之上且在整个互联、封装结构的顶层。本发明采用全溶液法制备,极大地节约了成本,同时具有散热性好、半导体层得到充分保护以及底栅底接触结构晶体管易于集成的优点。
搜索关键词: 一种 用于 实现 印刷 柔性 集成电路 封装 结构
【主权项】:
一种用于实现印刷柔性集成电路的互联、封装结构,其中基本单元晶体管为底栅底接触结构,所述互联、封装结构包括有绝缘衬底(11)、器件互联层(12)、栅电极(13)、栅极绝缘层(14)、源漏电极(15)、半导体层(16)、缓冲层(17)和封装层(18),其特征是:所述绝缘衬底(11)位于所述互联、封装结构的底层,所述器件互联层(12)位于所述绝缘衬底(11)之上,所述栅电极(13)位于所述器件互联层(12)之上,所述栅极绝缘层(14)覆盖所述器件互联层(12)和栅电极(13),所述源漏电极(15)位于所述栅极绝缘层(14)之上,所述半导体层(16)覆盖所述源漏电极(15)电极之间的沟道区域,所述缓冲层(17)覆盖所述栅极绝缘层(14)、所述源漏电极(15)和所述半导体层(16),所述封装层(18)位于所述缓冲层(17)之上且在整个互联、封装结构的顶层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210316399.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code