[发明专利]沟槽式栅极金氧半场效晶体管有效
| 申请号： | 201210317182.6 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103545368B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 詹前陵;李祈祥 | 申请（专利权）人： | 力祥半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管。磊晶层配置在基底上。主体层配置在磊晶层中。磊晶层中具有第一沟槽，主体层中具有第二沟槽，且第一沟槽配置在第二沟槽下方。第一导体层配置在第一沟槽中。第一绝缘层配置在第一导体层与磊晶层之间。第二导体层配置在第二沟槽的侧壁上。第二绝缘层配置在第二导体层与主体层之间以及第二导体层与第一导体层之间。介电层配置在磊晶层上并填满第二沟槽。二掺杂区分别配置在第二沟槽的两侧的主体层中。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅极 半场 晶体管 | ||
【主权项】：
一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管，其特征在于，包括：具有第一导电型的基底；具有所述第一导电型的磊晶层，配置在所述基底上；具有第二导电型的主体层，配置在所述磊晶层中，其中所述磊晶层中具有第一沟槽，所述主体层中具有第二沟槽，且所述第一沟槽配置在所述第二沟槽下方；第一导体层，配置在所述第一沟槽中；第一绝缘层，配置在所述第一导体层与所述磊晶层之间；第二导体层，以间隙壁的形式配置在所述第二沟槽的侧壁上；第二绝缘层，配置在所述第二导体层与所述主体层之间以及所述第二导体层与所述第一导体层之间；介电层，配置在所述磊晶层上并填满所述第二沟槽；以及具有所述第一导电型的二掺杂区，分别配置在所述第二沟槽的两侧的所述主体层中。
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