[发明专利]一种GaN纳米线生长方法无效
| 申请号： | 201210317228.4 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102828250A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 修向前;华雪梅;张士英;林增钦;谢自力;张荣;韩平;陆海;顾书林;施毅;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B29/62;C30B25/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制备GaN纳米线的方法，蓝宝石衬底的清洗后，先蒸镀金属Ni薄膜；Ni薄膜厚度5-50nm；将覆有镍薄膜的蓝宝石衬底放入HVPE生长系统中，开始低温生长GaN纳米线；生长温度：500–850℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1-5slm；Ga源采用常规的高纯金属镓和高纯HCl反应生成GaCl，HCl流量：1-20sccm，HCl载气流量10-200sccm；以高纯氨气作为氮源，NH3流量：50–500sccm；生长时间1-10分钟。生长出GaN纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 纳米 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种制备GaN纳米线的方法，其特征是蓝宝石衬底的清洗后，先蒸镀金属Ni薄膜；Ni薄膜厚度5‑50nm；将覆有镍薄膜的蓝宝石衬底放入HVPE生长系统中，开始低温生长GaN纳米线；生长温度：500–850℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1‑5slm；Ga源采用常规的高纯金属镓和高纯HCl反应生成GaCl，HCl流量：1‑20sccm，HCl载气流量10‑200sccm；以高纯氨气作为氮源，NH3流量：50–500sccm；生长时间1‑10分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210317228.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种微通道换热器
- 下一篇：微生物混菌发酵制备11α-OH-ADD的方法
