[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

防止高频特性的恶化，提高耐湿性。在半导体衬底（1）的主表面上的元件区域内，设置有漏极电极（2）。一端和漏极电极（2）连接的漏极布线（5）设置于主表面上。在主表面上的元件区域外，设置有和漏极布线（5）分离的漏极电极垫（12）。Au镀层（9）设置于主表面上，在和主表面之间形成空隙（10）。空隙（10）内包漏极布线（5）的一端和漏极电极（2）。已固化的聚酰亚胺膜（14）阻塞空隙（10）的开口部（11），覆盖漏极布线（5）的另一端，而不覆盖漏极电极垫（12）。在空隙（10）的内表面设置有拒液膜（15）。经由在已固化的聚酰亚胺膜（14）设置的开口（16），通过Au镀层（18），漏极布线（5）的另一端和漏极电极垫（12）连接。漏极布线（5）的另一端不从聚酰亚胺膜（14）露出。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底，具有主表面；电极，在所述主表面上的元件区域内设置；金属布线，设置于所述主表面上，一端和所述电极连接；电极垫，在所述主表面上的元件区域外设置，和所述金属布线分离；空隙形成膜，以在和所述主表面的一部分之间形成内包所述金属布线的一端和所述电极并具有开口部的空隙的方式在所述主表面上设置；已固化的树脂，阻塞所述开口部，覆盖所述金属布线的另一端，而不覆盖所述电极垫；拒液膜，在所述空隙的内表面设置，具有使液状状态的所述树脂的接触角比所述半导体衬底及所述空隙形成膜大的物性；以及金属膜，经由在已固化的所述树脂设置的开口，连接所述金属布线和所述电极垫，所述金属布线的另一端，不从所述树脂露出。