[发明专利]分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极有效
| 申请号： | 201210319019.3 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102820398A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 康俊勇;高娜;杨旭;李金钗;李书平 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森;曾权 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极，涉及一种电极。提供一种可抑制发光二极管金属电极吸收光较强的负面效应，改善发光二极管横向电流扩展均匀性的分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极。设有分布式布拉格反射结构、小面积金属欧姆接触阵列和半导体基底；分布式布拉格反射结构设在半导体基底上，分布式布拉格反射结构为多层介质，所述多层介质由至少1层高折射率介质层和至少1层低折射率介质层交替组成的膜堆；所述小面积金属欧姆接触阵列与分布式布拉格反射结构复合并贯穿分布式布拉格反射结构再与半导体基底欧姆接触并形成复合三维电极。 | ||
| 搜索关键词： | 分布式 布拉格 反射 面积 金属 接触 复合 三维 电极 | ||
【主权项】：
分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极，其特征在于设有分布式布拉格反射结构、小面积金属欧姆接触阵列和半导体基底；所述分布式布拉格反射结构设在半导体基底上，所述分布式布拉格反射结构为多层介质，所述多层介质由至少1层高折射率介质层和至少1层低折射率介质层交替组成的膜堆；所述小面积金属欧姆接触阵列与分布式布拉格反射结构复合并贯穿分布式布拉格反射结构再与半导体基底欧姆接触并形成复合三维电极。
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