[发明专利]深沟槽顶部倾斜角形成的工艺方法有效
| 申请号： | 201210319871.0 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103035561A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 吴智勇;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深沟槽顶部倾斜角形成的工艺方法，包括步骤：1）在单晶硅衬底上，依次淀积，形成第一氧化膜-氮化膜-第二氧化膜结构的硬掩膜，或者只淀积第三氧化膜作为硬掩膜；2）干法刻蚀硬掩膜，形成深沟槽图形；3）在单晶硅衬底上，干法刻蚀形成深沟槽；4）湿法刻蚀，去除第二氧化膜，或通过湿法刻蚀，将第三氧化膜横向推进一部分；5）干法刻蚀去除氮化膜和第一氧化膜，或去除第三氧化膜，形成深沟槽顶部圆角；6）单晶硅回刻，形成深沟槽顶部倾斜角。本发明通过深沟槽的顶部开口形成一个倾斜角，使后续的填充物形成的缝隙或空洞会小，防止后续化学机械研磨把缝隙或孔洞被打开，增加了后续工艺的工艺窗口，使工艺得以量产。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 顶部 倾斜角 形成 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种深沟槽顶部倾斜角形成的工艺方法，其特征在于，包括步骤：1）在单晶硅衬底上，依次淀积，形成第一氧化膜‑氮化膜‑第二氧化膜结构的硬掩膜，或者只淀积第三氧化膜作为硬掩膜；2）干法刻蚀硬掩膜，形成深沟槽图形；3）在单晶硅衬底上，干法刻蚀形成深沟槽；4）湿法刻蚀，去除第二氧化膜，或通过湿法刻蚀，将第三氧化膜横向推进一部分；5）干法刻蚀，去除氮化膜和第一氧化膜，或去除第三氧化膜，形成深沟槽顶部圆角；6）单晶硅回刻，形成深沟槽顶部倾斜角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
