[发明专利]一种高频超声发射器及阵列声学参数近场校准方法有效

专利信息
申请号: 201210319978.5 申请日: 2012-08-31
公开(公告)号: CN102857850A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 王世全;平自红;黄勇军;朱学文 申请(专利权)人: 中国船舶重工集团公司第七一五研究所
主分类号: H04R29/00 分类号: H04R29/00
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 代理人: 陈继亮
地址: 310012 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种高频超声发射器及阵列声学参数的近场校准方法,通过在高频发射器及阵列的近场获取相距很近的两个相互平行的平面上的复声压数据,采用差分近似的方法得到该位置处的质点振速分布,构建基于质点振速信息的“次级声源”,然后采用瑞利积分公式对发射器及阵列的声场进行计算,从而得到高频发射器及阵列声场的声学参数。本发明的有益效果是:该校准方法具有实施简便、计算高效、准确等显著特点,适合用于任意形状的高频超声发射器及其阵列的声场中声压量的校准和测试。
搜索关键词: 一种 高频 超声 发射器 阵列 声学 参数 近场 校准 方法
【主权项】:
一种高频超声发射器及阵列声学参数近场校准方法,其特征在于:通过在高频超声发射器或者阵列的近场区域获取两组距离为Δz且相互平行的测量面内的复声压数据,利用有限差分构建一个基于质点振速的虚拟的“次级声源”;然后,利用次级声源的振速分布数据,采用瑞利积分的方法计算得到高频超声发射器及阵列的声场中给定位置处的声压量值。
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