[发明专利]能够降低不均匀亮度分布的LED 阵列有效

专利信息
申请号: 201210320249.1 申请日: 2012-08-31
公开(公告)号: CN102983146A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 宫地护;斋藤龙舞;原田光范 申请(专利权)人: 斯坦雷电气株式会社
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/24;H01L33/38;F21S8/10
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了能够降低不均匀亮度分布的LED阵列。用于LED阵列的发光元件包括:电极层;半导体发光层,其由p型半导体层、有源层和n型半导体层组成;第一布线层,其沿着所述半导体发光层的一个边形成并且与该边平行;以及多个第二布线层,其从所述第一布线层延伸到所述半导体发光层,并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层,其中,所述半导体发光层的平面形状包括两个短边,该两个短边包括相对于与上边和下边垂直的线倾斜的一部分,并且从所述上边与所述短边相交的顶点起的垂线与相邻发光元件的所述下边交叉。
搜索关键词: 能够 降低 不均匀 亮度 分布 led 阵列
【主权项】:
一种半导体发光元件阵列,其中,多个半导体发光元件被设置在第一方向较长的长方形基板上,所述多个半导体发光元件中的每一个包括:电极层,其形成在所述基板上;半导体发光层,其形成在所述电极层上,并且包括电连接到所述电极层的p型半导体层、形成在所述p型半导体层上的有源层和形成在所述有源层上的n型半导体层;第一布线层,其沿着所述半导体发光层的一个边形成并且平行于该边;以及多个第二布线层,其从所述第一布线层向所述半导体发光层延伸,并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层,其中,所述半导体发光层的平面形状包括与所述第一方向平行的上边和下边以及包括相对于与所述上边和所述下边垂直的线倾斜的部分的两个短边,并且从所述上边与所述短边相交的顶点起的垂线与相邻发光元件的所述下边交叉。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯坦雷电气株式会社,未经斯坦雷电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210320249.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top