[发明专利]能够降低不均匀亮度分布的LED 阵列有效
申请号: | 201210320249.1 | 申请日: | 2012-08-31 |
公开(公告)号: | CN102983146A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 宫地护;斋藤龙舞;原田光范 | 申请(专利权)人: | 斯坦雷电气株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/24;H01L33/38;F21S8/10 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了能够降低不均匀亮度分布的LED阵列。用于LED阵列的发光元件包括:电极层;半导体发光层,其由p型半导体层、有源层和n型半导体层组成;第一布线层,其沿着所述半导体发光层的一个边形成并且与该边平行;以及多个第二布线层,其从所述第一布线层延伸到所述半导体发光层,并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层,其中,所述半导体发光层的平面形状包括两个短边,该两个短边包括相对于与上边和下边垂直的线倾斜的一部分,并且从所述上边与所述短边相交的顶点起的垂线与相邻发光元件的所述下边交叉。 | ||
搜索关键词: | 能够 降低 不均匀 亮度 分布 led 阵列 | ||
【主权项】:
一种半导体发光元件阵列,其中,多个半导体发光元件被设置在第一方向较长的长方形基板上,所述多个半导体发光元件中的每一个包括:电极层,其形成在所述基板上;半导体发光层,其形成在所述电极层上,并且包括电连接到所述电极层的p型半导体层、形成在所述p型半导体层上的有源层和形成在所述有源层上的n型半导体层;第一布线层,其沿着所述半导体发光层的一个边形成并且平行于该边;以及多个第二布线层,其从所述第一布线层向所述半导体发光层延伸,并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层,其中,所述半导体发光层的平面形状包括与所述第一方向平行的上边和下边以及包括相对于与所述上边和所述下边垂直的线倾斜的部分的两个短边,并且从所述上边与所述短边相交的顶点起的垂线与相邻发光元件的所述下边交叉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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