[发明专利]一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法

摘要

本发明公开一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法，包括：对炉管抽真空，保持炉内温度420℃，压力80mTorr，时间为4分钟；对硅片进行预处理，温度420℃，一氧化二氮流量为3.8~5.2slm，压力为1700mTorr，预处理3分钟；压力测试，保证设备内部压力50mTorr恒定，保持0.2~0.5分钟；预沉积，温度为420℃，氨气流量为0.1 ~0.9slm，硅烷流量为180 ~200sccm，一氧化二氮流量为3.5~5.1slm，压力为1000mTorr，射频功率4300瓦，持续时间0.3~0.5分钟；沉积，温度为450℃，氨气流量为2000~2200sccm，硅烷流量为7000~8500sccm，一氧化二氮流量为2~3.4slm，压力为1700mTorr，射频功率4300瓦，持续时间3~5分钟；氮气吹扫冷却，温度为420℃，氮气流量为6~12slm，压力为10000mTorr，吹扫时间5~8分钟。本发明制备的减反射膜具有抗PID效应，因此，光伏组件的抗衰减能力大幅提高。

主权项

一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法，其特征在于包括下面的步骤：(1)对炉管抽真空，保持炉内温度420℃，压力80mTorr，时间为4分钟；(2)对硅片进行预处理，温度420℃，一氧化二氮流量为3.8~5.2slm，压力为1700mTorr，预处理3分钟；(3)压力测试，保证设备内部压力50mTorr恒定，保持0.2~0.5分钟；(4)预沉积，温度为420℃，氨气流量为0.1 ~0.9slm，硅烷流量为180~200sccm，一氧化二氮流量为3.5~5.1slm，压力为1000mTorr，射频功率4300瓦，持续时间0.3~0.5分钟；(5)沉积，温度为450℃，氨气流量为2000~2200sccm，硅烷流量为7000~8500sccm，一氧化二氮流量为2~3.4slm，压力为1700mTorr，射频功率4300瓦，持续时间3~5分钟；(6)氮气吹扫冷却，温度为420℃，氮气流量为6~12slm，压力为10000 mTorr，吹扫时间5~8分钟。