[发明专利]一种倒装太阳能电池芯片及其制备方法有效
申请号: | 201210322001.9 | 申请日: | 2012-09-04 |
公开(公告)号: | CN102800726A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 熊伟平;林桂江;吴志敏;宋明辉;安晖 | 申请(专利权)人: | 天津三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300384 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种倒装太阳能电池芯片及其制备方法,包含:一键合转移衬底,所述的键合转移衬底为绝缘体;一键合金属层;一倒装太阳能电池外延层;所述的倒装太阳能电池外延层通过键合金属层与键合转移衬底贴合;所述的倒装太阳能电池外延层连同键合金属层被分割成至少两部分或以上;所述的被分割开的倒装太阳能电池外延层表面形成有正面电极;键合金属层与正面电极首尾互连,使得分割开后的外延层形成串联。本发明的优点在于,电池外延层被分割成完全隔离的若干部分后形成串联,大大降低了光生电流,从而降低了电池芯片串联电阻的功耗,而输出电压成倍增加,提高电池芯片光电转换效率;采用键合金属层作为背电极,实现了背电极极低的电阻性损耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 倒装 太阳能电池 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种倒装太阳能电池芯片,包含:绝缘性转移衬底,键合金属层及倒装太阳能电池外延层,所述倒装太阳能电池外延层通过键合金属层与转移衬底贴合,其特征在于:所述倒装太阳能电池外延层连同键合金属层被分割成至少若干单元,所述被分割开的倒装太阳能电池外延层表面设置有正面电极,所述键合金属层与所述正面电极首尾互连,使得分割开后的外延层形成串联连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津三安光电有限公司,未经天津三安光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210322001.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:压膜模具入胶口
- 下一篇:一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的