[发明专利]制造绝缘体上硅结构的工艺

摘要

本发明涉及一种制造绝缘体上硅结构的工艺，所述工艺包括以下步骤：（a）设置供体衬底（31）和支撑衬底（1），所述衬底中只有一个被所述氧化物层（2）覆盖；（b）在所述供体衬底（31）中形成弱区（32）；（c）等离子体激活所述氧化物层（2）；（d）在部分真空中，将所述供体衬底（31）粘结于所述支撑衬底（1）；（e）在350℃或更低的温度下，实现粘结增强退火，从而造成所述供体衬底（31）沿着所述弱区（32）劈裂；以及（f）在超过900℃的温度下执行热处理-以超过10℃/s的升温速率实现从步骤（e）的温度到步骤（f）的温度的转变。

主权项

一种制造绝缘体上硅结构的工艺，所述绝缘体上硅结构包括硅层（3）、厚度小于或等于25nm的掩埋氧化物层（2）和支撑衬底（1），所述工艺的特征在于，所述工艺包括以下步骤：（a）设置包括所述硅层（3）的供体衬底（31）和所述支撑衬底（1），所述衬底（31、1）中只有一个被所述氧化物层（2）覆盖；（b）在所述供体衬底（31）中形成与所述硅层（3）接界的弱区（32）；（c）等离子体激活所述氧化物层（2）；（d）将所述供体衬底（31）粘结于所述支撑衬底（1），所述氧化物层（2）位于粘结界面处，在部分真空中执行所述粘结；（e）在350℃或更低的温度下实现粘结增强退火，所述退火造成所述供体衬底（31）沿着所述弱区（32）劈裂；以及（f）在超过900℃的温度下，向所述绝缘体上硅结构（3、2、1）应用用于修复缺陷的热处理‑以超过10℃/s的升温速率实现从步骤（e）的劈裂温度到步骤（f）的缺陷修复温度的转变。