[发明专利]提高闪存芯片写入速度的方法、闪存存储系统及其控制器无效
| 申请号： | 201210322819.0 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102915211A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 张彤;邹粤林 | 申请（专利权）人： | 邹粤林 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/02 |
| 代理公司： | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人： | 李彦孚 |
| 地址： | 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高闪存芯片写入速度的方法，其中每一闪存芯片封装体内设有闪存芯片和加热芯片，且每一闪存芯片具有多个存储单元，该方法包括：在编程/擦除闪存芯片的存储单元之后检测所述存储单元的噪音容限；当所述闪存芯片的存储单元的噪音容限过差以致无法保证当前的数据写入速度时，启动所述闪存芯片封装体内的加热芯片以对所述闪存芯片进行修复。本发明还公开了一种闪存存储系统及其控制器。采用本发明实施例，能够有效地利用闪存芯片存储单元的自恢复特性而提高数据写入速度，且实现过程简单、易行。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 闪存 芯片 写入 速度 方法 存储系统 及其 控制器 | ||
【主权项】：
一种提高闪存芯片写入速度的方法，其中每一闪存芯片封装体内设有闪存芯片和加热芯片，且每一闪存芯片具有多个存储单元，其特征在于，该方法包括步骤：在编程/擦除闪存芯片的存储单元之后检测所述存储单元的噪音容限；当所述闪存芯片的存储单元的噪音容限过差以致无法保证当前的数据写入速度时，启动所述闪存芯片封装体内的加热芯片以对所述闪存芯片进行修复。
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