[发明专利]增强型半导体器件无效
| 申请号： | 201210323281.5 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102856355A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 程凯 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215124 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种新型的增强型半导体器件。该增强型半导体器件利用了氮化物晶体中的自发极化效应和压电效应在<0002>方向最强，而在其他的非极性方向和半极性方向没有或者极弱的特性。在外延多层结构中设置脊形凸起，脊形凸起处存在氮化物的非极性面或半极性面，从而使得沟道里的二维电子气中断。当栅极电压提高时，在沟道中形成导电沟道，从而实现增强型操作。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种增强型半导体器件，该增强型半导体器件为形成在一衬底上的外延多层结构，其特征在于：所述外延多层结构从衬底方向依次包括氮化物沟道层和氮化物势垒层;所述外延多层结构中设有脊形凸起；脊形凸起处存在氮化物的非极性面或半极性面，至少有部分二维电子气是中断的；在该外延多层结构中的脊形凸起处上定义有栅极区域和分别位于上述栅极区域两侧的两处欧姆接触区域；位于上述栅极区域的栅电极；位于上述两处欧姆接触区域的源电极和漏电极。
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