[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210323318.4 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103474542A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 孙谢阳 | 申请（专利权）人： | 华新丽华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾桃园县杨*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制造方法。发光二极管包括一半导体复合层及一电极。半导体复合层提供空穴和电子并使空穴和电子结合而释放光。电极形成于半导体复合层上，其中电极含有30％至98％的铝含量。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：一半导体复合层，用以提供空穴和电子并使空穴和电子结合而释放光；以及一电极，形成于该半导体复合层上，其中该电极含有30％至98％的铝含量。
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