[发明专利]一种鳍片场效应晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201210323840.2 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103681325A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种鳍片场效应晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成氧化物硬掩膜层；蚀刻去除部分氧化物硬掩膜层，以形成具有高区和低区的阶梯形氧化物硬掩膜层；在阶梯形氧化物硬掩膜层上沉积第一硬掩膜层；在阶梯形氧化物硬掩膜层的高区和低区分别形成至少一个沟槽；填充所述沟槽形成鳍片；沉积第二硬掩膜层，以覆盖所述鳍片；蚀刻所述第二硬掩膜层、所述第一硬掩膜层以及所述阶梯形氧化物硬掩膜层，以在所述每个鳍片两侧各形成一个沟槽；湿法蚀刻去除所述露出的所述氧化物硬掩膜层，以露出所述鳍片的底部；氧化所述鳍片的底部；去除剩余的所述第一硬掩膜层、第二硬掩膜层，以露出所述鳍片。本发明所述方法简单易控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍片场效应晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成氧化物硬掩膜层；蚀刻去除部分氧化物硬掩膜层，以形成具有高区和低区的阶梯形氧化物硬掩膜层；在所述阶梯形氧化物硬掩膜层上沉积第一硬掩膜层并平坦化；蚀刻所述第一硬掩膜层、所述阶梯形氧化物硬掩膜层，在所述阶梯形氧化物硬掩膜层的高区和低区分别形成至少一个沟槽；采用半导体材料填充所述沟槽并回刻形成鳍片；在所述第一硬掩膜层上沉积第二硬掩膜层，以覆盖所述鳍片；蚀刻所述第二硬掩膜层、所述第一硬掩膜层以及所述阶梯形氧化物硬掩膜层，以在所述每个鳍片两侧各形成一个沟槽，在所述沟槽中露出所述氧化物硬掩膜层；湿法蚀刻去除所述露出的所述氧化物硬掩膜层，以露出所述鳍片的底部；氧化所述鳍片的底部，形成氧化物；去除剩余的所述第一硬掩膜层、第二硬掩膜层，以露出所述鳍片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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