[发明专利]一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法有效
| 申请号： | 201210323936.9 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102851743A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 冯晓军 | 申请（专利权）人： | 浙江鸿禧光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314206 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法，具体地涉及在采用多晶硅酸制绒出现表面反射率过高时，降低多晶硅制绒表面的反射率。方案A：停止补加HNO3，保证HF正常补加，持续一定时间后溶液中HNO3的浓度下降；随着时间的推移，待反射率降低至技术参数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF。方案B：加水降低HNO3和HF的整体浓度，然后再加入HF，待反射率降低至技术参数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF。本发明的有益效果是可以有效地降低多晶硅制绒后的表面反射率，减少因反射率过高导致的亮片、花色片，达到提高多晶硅太阳能电池片的光电转换效率的目的。 | ||
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【主权项】：
一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法，其特征在于：在采用多晶硅酸制备绒面的情况下，出现表面反射率过高时，采用下面所述的两种技术方案来降低多晶硅制绒表面的反射率，具体工艺步骤如下：方案A：停止补加HNO3，保证HF正常补加，持续一定时间后溶液中HNO3的浓度下降，反射率降低，随着时间的推移，溶液中HNO3的浓度下降，反射率进一步下降，待反射率降低至技术参数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF；方案B：加水降低HNO3和HF的整体浓度，然后再通过加入HF，来提高HF的浓度使腐蚀程度不变，待反射率降低至技术参数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF。
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