[发明专利]强磁场下脉冲激光沉积薄膜制备系统

摘要

本发明公开了一种强磁场下脉冲激光沉积薄膜制备系统，包括超导磁体、真空室、准分子脉冲激光器、激光束聚焦与扫描、高真空机组及各种控制系统等组成。真空腔内设有基片台、可旋转和升降的靶台等。在真空室内设有遮挡板，避免靶材的交叉污染，在靶台和基片台附近设有光纤摄像头，便于观察真空室内激光光路对准和薄膜沉积情况。本发明使用了超导磁体，磁场的方向与沉积薄膜的膜面可以平行或垂直，系统可用于0～15特斯拉不同磁场强度下的薄膜原位生长和后退火处理，从而实现对所沉积薄膜的微结构和功能特性的调控。

主权项

一种强磁场下脉冲激光沉积薄膜制备系统，包括真空室和高真空机组，真空室内的真空度由所述的高真空机组控制，真空室上有石英玻璃窗口，所述的真空室中安装靶台和基片台，控制电源控制基片台加热，一准分子脉冲激光器放置在所述的真空室外，其产生的脉冲激光经过一聚焦透镜和一反射镜后，经过所述的石英玻璃窗口照射到靶材上，其特征在于：所述的真空室放在一超导磁体镗孔内，所述的基片台置于磁场中心区域，所述的靶台有三个靶位，靶台位置可升降和靶位转换，靶台的自转由位于真空室外侧的步进电机控制，所述的聚焦透镜和反射镜的位置随着靶台位置的变动而相应的调动。