[发明专利]一种浅沟槽隔离结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210324178.2 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103681444B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,付伟佳 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构及其制作方法。该制作方法，包括a）提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；b）进行湿法刻蚀，以扩大所述沟槽的尺寸；c）在扩大的沟槽的底部和侧壁上形成掺杂的硅外延层；以及d）在所述扩大的沟槽内填满STI氧化物，以形成浅沟槽隔离结构。本发明通过在沟槽内形成掺杂的硅外延层，可以抑制半导体衬底中的硼向STI氧化物中扩散，进而避免硼耗尽而导致的电阻增大、阈值电压和工作电流漂移等现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：a)提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；b)进行湿法刻蚀，以扩大所述沟槽的尺寸；c)在扩大的沟槽的底部和侧壁上形成掺杂的硅外延层，其中，所述掺杂的硅外延层的表面轮廓为U型，之后进行退火工艺，以使掺杂的硅外延层的表面平滑，降低漏电流；以及d)在所述扩大的沟槽内填满STI氧化物，以形成浅沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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