[发明专利]太阳能发电储电集成器件有效
申请号: | 201210324504.X | 申请日: | 2012-09-04 |
公开(公告)号: | CN102800734A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 李东栋;徐璟;黄洪涛;鲁林峰;王会利;吴慧;徐辰;刘东方;方小红;陈小源 | 申请(专利权)人: | 上海中科高等研究院 |
主分类号: | H01L31/058 | 分类号: | H01L31/058;H01L31/0224;H01M10/46 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种太阳能发电储电集成器件,至少包括共用电极层、至少一个薄膜光伏器件、及至少一个薄膜储能器件。本发明具有减少太阳能发电系统能量损耗、降低成本、提高系统可靠性、提高太阳能利用效率的特点;扩大了太阳能发电储电集成器件中薄膜储能器件的适用范围,以利于太阳能发电储电集成器件对不同薄膜储能器件的需求;三电极结构的提出,降低制作工艺的难度,从而进一步降低太阳能发电储电集成器件的成本;适用于便携式发电储电器件的设计,有助于促进新一代能源转换与存储技术的发展。 | ||
搜索关键词: | 太阳能 发电 集成 器件 | ||
【主权项】:
一种太阳能发电储电集成器件,其特征在于,所述器件至少包括:共用电极层为一金属层,设有与其相连的引线;至少一个薄膜光伏器件,至少包括形成于所述共用电极层上的光吸收层、及形成于所述光吸收层上的第一电极层,其中,所述第一电极层为透明电极层; 至少一个薄膜储能器件,至少包括形成于所述共用电极层下表面的材料层、及形成于所述材料层下表面的第二电极层,其中,所述第二电极层为一集流体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的