[发明专利]双向相机组合件有效
申请号: | 201210325412.3 | 申请日: | 2012-09-05 |
公开(公告)号: | CN103066081A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 陈刚;阿希什·沙阿;毛杜立;戴幸志;霍华德·E·罗兹 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施例涉及一种双向相机组合件,其包括操作性地耦合在一起(例如,接合、堆叠在共用衬底上)的后向相机及前向相机。在本发明的一些实施例中,具有前侧照明FSI成像像素阵列的系统接合到具有背侧照明BSI成像像素阵列的系统,从而产生具有最小尺寸(例如,相比于现有技术方案具有减小的厚度)的相机组合件。当BSI图像传感器晶片被薄化时,FSI图像传感器晶片可用作用于所述BSI图像传感器晶片的处置晶片,从而减小整个相机模块的厚度。根据本发明的其它实施例,两个封装裸片、一个BSI图像传感器、另一个FSI图像传感器堆叠在例如印刷电路板等共用衬底上,且经由再分布层操作性地耦合在一起。 | ||
搜索关键词: | 双向 相机 组合 | ||
【主权项】:
一种设备,其包含:第一成像系统,其包括安置在第一半导体裸片内的前侧照明FSI成像像素阵列,其中每一FSI成像像素包括用于响应于所述FSI阵列的前侧上的入射光而积累图像电荷的光电二极管区域;第一金属堆叠,其安置在所述第一半导体裸片的第一侧上且包括耦合到所述第一成像系统的FSI读出电路,以从所述FSI成像像素中的每一者读出图像数据;第二成像系统,其包括安置在第二半导体裸片内的背侧照明BSI成像像素阵列,其中每一BSI成像像素包括用于响应于所述BSI阵列的背侧上的入射光而积累图像电荷的光电二极管区域;第二金属堆叠,其安置在所述第二半导体裸片上且包括耦合到所述第二成像系统的BSI读出电路,以从所述BSI成像像素中的每一者读出图像数据;及接合层,其用于将所述第二金属堆叠接合到所述第一半导体裸片的第二侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的