[发明专利]一种使用45度斜角的三维各向异性磁场传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 201210325761.5 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102830372A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 吴俊;张卫;王鹏飞;孙清清;周鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R3/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于磁场探测技术领域，具体涉及一种使用45度斜角的三维各向异性磁场传感器及其制造方法。本发明将用于测量不同纬度磁场的三个各向异性磁阻传感器置于一个使用45度斜角的凹槽或者凸台结构之上形成三维各向异性磁场传感器，使得三维磁场传感器的体积减小、用于测量不同维度磁场的各向异性磁阻传感器更为集中，从而使得三维磁场传感器可以更加灵活地运用到导航系统、磁场测量系统以及测量各种基于磁场的其他物理量的设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 45 斜角 三维 各向异性 磁场 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种使用45度斜角的三维各向异性磁场传感器，其特征在于包括：在半导体衬底内形成的两个侧壁均与所述半导体衬底表面成45度斜角的凹槽或者凸台结构；在所述的凹槽或者凸台的第一个侧壁上设置有第一各向异性磁阻传感器；在所述的凹槽或者凸台的第一个侧壁上，或者在所述的凹槽的底部或者凸台的顶部设置有第二各向异性磁阻传感器；在所述的凹槽或者凸台的第二个侧壁上设置有第三各向异性磁阻传感器；所述的第二各向异性磁阻传感器所测磁场的方向垂直于所述的凹槽或者凸台的横截面；所述的第一各向异性磁阻传感器、第三各向异性磁阻传感器所测磁场的方向均平行于各自所在的侧壁表面且均垂直于所述的第二各向异性磁阻传感器所测磁场的方向。
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