[发明专利]一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法有效
| 申请号： | 201210325765.3 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102839417A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 王建霞;李志伟;赵桂娟;桑玲;刘长波;魏鸿源;焦春美;杨少延;刘祥林;朱勤生;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/18;C30B29/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨气，对蓝宝石衬底进行氮化，在其上生成一层氮化层；在MOCVD设备中利用载气通入铟源、镓源和氨气，使得在氮化层上得到InGaN层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长一层低温GaN缓冲层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长氮化镓外延层。本发明以InGaN插入层和低温GaN缓冲层做弱键合层，可以得到高结晶质量的自剥离GaN薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 衬底 生长 剥离 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，其特征在于，该方法利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：步骤1：取一蓝宝石衬底；步骤2：在MOCVD设备中通入氨气，对蓝宝石衬底进行氮化，在其上生成一层氮化层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入铟源、镓源和氨气，使得在氮化层上得到InGaN层；步骤4：在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长一层低温GaN缓冲层；步骤5：在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长氮化镓外延层。
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