[发明专利]二极管/电晶体晶片PN 接面的保护方法无效
| 申请号： | 201210326291.4 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103456648A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 黄正尚;陈国辉;陈効义;温育德 | 申请（专利权）人： | 广化科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 赵郁军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种二极管/电晶体晶片PN接面的保护方法，主要是先于晶圆上的二极管或电晶体晶片PN接面上涂布玻璃胶材，用以形成呈封闭环状的若干玻璃胶框，再以200～500℃的温度预先加热该晶圆及其上的二极管或电晶体晶片与玻璃胶框，用以使该玻璃胶框硬化，最后，利用一辐射源(如雷射、红外线等)以500～800℃的温度加热该硬化的玻璃胶框，用以使该玻璃胶框烧结形成可保护PN接面的玻璃罩，以此解决晶片在封装过程中因水气或碰撞而产生的漏电问题，及避免二极管和电晶体因加热而产生晶片特性的热衰退现象。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 电晶体 晶片 pn 保护 方法 | ||
【主权项】：
一种二极管/电晶体晶片PN接面的保护方法，其特征在于，至少包含有以下步骤：涂布玻璃胶材：于晶圆上的二极管或电晶体晶片PN接面涂布玻璃胶材，用以形成呈封闭环状的若干玻璃胶框；预烧结：加热该晶圆及其上的二极管或电晶体晶片与玻璃胶框，用以使该玻璃胶框硬化；以及局部加热：利用一辐射源加热该硬化的玻璃胶框，用以使该玻璃胶框烧结熔化而形成可保护PN接面的玻璃保护罩。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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