[发明专利]一种制造半导体薄膜的方法及其半导体薄膜无效
| 申请号： | 201210326578.7 | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102800571A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 李世彬;肖战菲;蒋亚东;吴志明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L29/205 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种制造半导体薄膜的方法，包括：获取基底材料；在基底材料上形成氮化镓层；在氮化镓层上形成铝镓氮层，并使铝镓氮层中铝的含量从靠近氮化镓层的部分到远离氮化镓层的部分线性变化。本发明的实施例的半导体薄膜中，通过氮化镓和氮化铝的自极化效应及其极化强度的差异，可以构建出内部极化电场，该极化电场还可以将衬底内的载流子吸入电场，从而实现超高载流子浓度的掺杂。此方法操作可控，简单易行，可重复性好，可以实现超高载流子浓度的掺杂。并且其载流子浓度不受温度影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 半导体 薄膜 方法 及其 | ||
【主权项】：
一种制造半导体薄膜的方法，其特征在于，包括：获取基底材料；在所述基底材料上形成氮化镓层；掺杂步骤：在所述氮化镓层上形成铝镓氮层，并使所述铝镓氮层中铝的含量从靠近所述氮化镓层的部分中到远离所述氮化镓层的部分中线性变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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