[发明专利]多次可编程半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210326597.X | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103681800A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了多次可编程半导体器件，包括：多个鳍形结构，位于衬底上且沿平行于衬底表面的第一方向延伸分布，包括衬底注入区、埋氧层、顶层；沟道区，位于多个鳍形结构的顶层中；源漏区，位于多个鳍形结构的顶层中沟道区两端；栅极绝缘层，位于沟道区的顶部以及侧部，沿平行于衬底表面的第二方向延伸分布；浮栅，位于多个鳍形结构的第二方向上的两侧；编程/擦除栅，由衬底注入区构成，位于埋氧层下方。依照本发明的多次可编程半导体器件及其制造方法，利用衬底注入区来形成FinFET的编程/擦除栅，简化了器件结构，并缩减了制造工序，提高了器件的集成密度，适用于多次可编程存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 可编程 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多次可编程半导体器件，包括：多个鳍形结构，位于衬底上且沿平行于衬底表面的第一方向延伸分布，包括衬底注入区、埋氧层、顶层；沟道区，位于多个鳍形结构的顶层中；源漏区，位于多个鳍形结构的顶层中沟道区两端；栅极绝缘层，位于沟道区的顶部以及侧部，沿平行于衬底表面的第二方向延伸分布；浮栅，位于多个鳍形结构的第二方向上的两侧；编程/擦除栅，由衬底注入区构成，位于埋氧层下方。
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