[发明专利]薄膜晶体管及电子设备无效
| 申请号： | 201210326600.8 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103000808A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 平井畅一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L51/10 | 分类号： | H01L51/10;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及电子设备。其中，该薄膜晶体管包括：栅电极；通过其间的分离绝缘层与栅电极分离的半导体层；以及与半导体层连接且彼此分离的源电极和漏电极。在源电极和所述漏电极之间，分离绝缘层在栅电极不与源电极和漏电极重叠的第一区域的厚度小于分离绝缘层在栅电极与源电极和漏电极中的一个或两个重叠的第二区域的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 电子设备 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅电极；隔着分离绝缘层与所述栅电极分离的半导体层；以及与所述半导体层连接且彼此分离的源电极和漏电极，其中，在所述源电极和所述漏电极之间，在所述栅电极不与所述源电极和所述漏电极重叠的第一区域的所述分离绝缘层的厚度小于在所述栅电极与所述源电极和所述漏电极中的一个或两者重叠的第二区域的所述分离绝缘层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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