[发明专利]太阳能电池及其制作方法无效
申请号: | 201210326717.6 | 申请日: | 2012-09-05 |
公开(公告)号: | CN102856436A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 赖良星;吕智成;陈人杰;吴振诚 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种太阳能电池及其制造方法,该太阳能电池包括一基底、一第一轻掺杂区、一第二轻掺杂区、一第二重轻掺杂区、一第一电极以及一第二电极。第一轻掺杂区位于基底的一第一表面内,其中第一轻掺杂区具有一第一掺杂类型。第二轻掺杂区与第二重轻掺杂区位于基底的一第二表面内,其中第二轻掺杂区与第二重掺杂区具有一第二掺杂类型,且第一掺杂类型不同于第二掺杂类型。第一电极位于基底的第一表面上。第二电极位于基底的第二表面上。本发明的太阳能电池的背表面电场结构具有两种掺杂浓度,可有效提升光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种制作太阳能电池的方法,其特征在于,包括:提供一基底,其中该基底具有一第一表面与一第二表面,且该第一表面相对于该第二表面;于该基底的该第一表面内形成一第一轻掺杂区,其中该第一轻掺杂区具有一第一掺杂类型;于该基底的该第二表面内形成一第二轻掺杂区以及一第二重掺杂区,其中该第二轻掺杂区与该第二重掺杂区具有一第二掺杂类型,且该第一掺杂类型不同于该第二掺杂类型;于该基底的该第一表面上形成一第一电极;以及于该基底的该第二表面上形成一第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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