[发明专利]一种可提高TFT背板良率的布线结构有效
申请号: | 201210326750.9 | 申请日: | 2012-09-06 |
公开(公告)号: | CN102881697A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 徐苗;周雷;吴为敬;兰林锋;彭俊彪 | 申请(专利权)人: | 广州新视界光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 方振昌 |
地址: | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种可提高TFT背板良率的布线结构,包括主氧化线、电源线、连接金属、行扫描线、电源线与行扫描线刻断图形、电源线接触刻蚀孔。本发明将TFT背板驱动阵列的主氧化线设计成网格状结构,电源线和行扫描线在阵列外围连接在一起,且连接至主氧化线,待阳极氧化处理后,利用刻蚀方法,将电源线、行扫描线以及主氧化线分割开,实现各自的功能。通过这种布线设计,可以大大提高TFT背板栅极金属阳极氧化效率和均匀性。待阳极氧化形成栅极绝缘层薄膜后,通过接触孔,金属Ⅱ与金属Ⅰ相互搭接,进而形成网格状的电源线结构;通过这种布线设计,可以减小背板像素阵列电源线断线造成的显示屏线缺陷,从而提高TFT背板的良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 tft 背板 布线 结构 | ||
【主权项】:
一种可提高TFT背板良率的布线结构,包括主氧化线、电源线、连接金属、行扫描线、电源线与行扫描线刻断图形、电源线接触刻蚀孔图形,其特征在于:电源线和行扫描线由栅极金属层以及栅极绝缘层组成;所述的栅极金属层为Al或Al合金单层薄膜结构,或者是以Al或Al合金薄膜作为上层金属,其它金属作为下层金属所组成的多层薄膜结构;所述的栅极绝缘层由阳极氧化法形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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