[发明专利]半导体外延结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201210327147.2 | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102851734A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 程凯 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;H01L21/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215124 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体外延结构及其生长方法，该半导体外延结构包括：形成于衬底上的成核层；形成于所述成核层上的氮化物层，所述氮化物层包括第一氮化物层和第二氮化物层；位于所述第一氮化物层和第二氮化物层之间的插入层，所述插入层包括第一插入层和位于所述第一插入层上方的第二插入层，所述第一插入层为铝镓氮层，所述第二插入层为氮化硅层。本发明的半导体外延结构会大大降低氮化物的位错密度，提高氮化物的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体外延结构，其特征在于，包括：形成于衬底上的成核层；形成于所述成核层上的氮化物层，所述氮化物层包括第一氮化物层和第二氮化物层；位于所述第一氮化物层和第二氮化物层之间的插入层，所述插入层包括第一插入层和位于所述第一插入层上方的第二插入层，所述第一插入层为铝镓氮层，所述第二插入层为氮化硅层。
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