[发明专利]含铁电层的GaN基增强型器件及制备方法有效
| 申请号： | 201210327192.8 | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102820322A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 朱俊;郝兰众;吴志鹏;李言荣;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 含铁电层的GaN基增强型器件，涉及微电子技术领域。本发明包括AlGaN/GaN/Al2O3半导体异质结构衬底，在衬底上设置有ZnO缓冲层和外延LiNbO3型铁电薄膜层，ZnO缓冲层设置于衬底和外延LiNbO3型铁电薄膜层之间；AlGaN以AlxGa1-xN表示，x为Al的摩尔含量，0＜x≤1。本发明通过ZnO缓冲层的引入，所制备的增强型场效应管器件的性能得到大大提高，具体表现在：Ids由97mA/mm增加到203mA/mm，Gm由27mS/mm增加到46mS/mm。本发明将为制备新型的GaN类半导体器件提供了一种良好材料体系设计方案和器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 含铁电层 gan 增强 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
含铁电层的GaN基增强型器件，其特征在于，包括AlGaN/GaN/Al2O3半导体异质结构衬底，在衬底上设置有ZnO缓冲层和外延LiNbO3型铁电薄膜层，ZnO缓冲层设置于衬底和外延LiNbO3型铁电薄膜层之间；AlGaN以AlxGa1‑xN表示，x为Al的摩尔含量，0＜x≤1。
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