[发明专利]将电荷捕获栅层叠集成到CMOS流程的方法

摘要

本发明涉及将电荷捕获栅层叠集成到CMOS流程的方法。描述了将非易失性存储器件集成到MOS流程的方法。一般地，该方法包括：在基底的表面上形成电介质层叠，该电介质层叠包括覆盖在基底的表面上面的隧穿电介质和覆盖在隧穿电介质上面的电荷捕获层；形成覆盖在电介质层叠上面的盖层；图案化盖层和电介质层叠以在基底的第一区中形成存储器件的栅层叠并且将盖层和电荷捕获层从基底的第二区去除；以及执行氧化过程以形成覆盖在第二区中的基底的表面上面的MOS器件的栅氧化层并同时氧化盖层以形成覆盖在电荷捕获层上面的阻挡氧化层。也公开了其他的实施方式。

主权项

一种方法，包括：在基底的表面上形成电介质层叠，所述电介质层叠包括覆盖在所述基底的表面上面的隧穿电介质和覆盖在所述隧穿电介质上面的电荷捕获层；形成覆盖在所述电介质层叠上面的盖层；图案化所述盖层和所述电介质层叠，以形成在所述基底的第一区中的存储器件的栅层叠并且将所述盖层和所述电荷捕获层从所述基底的第二区去除；以及执行氧化过程以形成覆盖在所述第二区中的所述基底的表面上面的金属氧化物半导体（MOS）器件的栅氧化层并同时氧化所述盖层以形成覆盖在所述电荷捕获层上面的阻挡氧化层。