[发明专利]双色红外探测材料的制备方法及系统

摘要

本发明公开了一种双色红外探测材料的制备方法及系统，该方法制备双色红外探测材料需要的层数少，制备工艺简单。其制备方法包括：对InSb晶体先进行前期处理操作，获得外延级（211）晶向的InSb衬底；对所述（211）晶向的InSb衬底进行处理，获得HgCdTe分子束外延所要求的表面态；在所述（211）晶向的InSb衬底上进行CdTe缓冲层的生长；然后再进行HgCdTe薄膜的生长；在保护气体条件下，将生长后的所述HgCdTe薄膜加热到预定温度200-300℃，保温时间为16-30小时，降温得到双色红外探测材料；双色红外探测材料的制备系统包括：处理设备、分子束外延系统和热处理设备。

主权项

双色红外探测材料的制备方法，其特征在于，制备方法包括：对InSb晶体先进行切、磨和抛光处理操作，获得外延级（211）晶向的InSb衬底；对所述（211）晶向的InSb衬底进行处理，获得HgCdTe分子束外延所要求的表面态；在所述（211）晶向的InSb衬底上进行CdTe缓冲层的生长；然后再进行HgCdTe薄膜的生长；在保护气体条件下，将生长后的所述HgCdTe薄膜加热到预定温度200‑300℃，保温时间为16‑30小时，降温得到双色红外探测材料。