[发明专利]沟槽隔离结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210328477.3 | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103681445B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种沟槽隔离结构及其制作方法，所述沟槽隔离结构制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有氧化层和阻挡层；刻蚀所述阻挡层、氧化层以及半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；对所述沟槽进行填充，形成氧化物填充层；利用化学机械研磨工艺去除所述阻挡层上的氧化物填充层；去除所述沟槽中的部分氧化物填充层；在所述氧化物填充层和阻挡层表面形成隔离层；以及去除阻挡层以及阻挡层上方的隔离层。本发明可以防止氧化物填充层中的氧元素扩散到栅极介电层或相邻的层中对器件电性能造成影响，有利于提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽隔离结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有氧化层和阻挡层；刻蚀所述阻挡层、氧化层以及半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；对所述沟槽进行填充，形成氧化物填充层；利用化学机械研磨工艺去除所述阻挡层上的氧化物填充层；去除所述沟槽中的部分氧化物填充层；在所述氧化物填充层和阻挡层表面形成隔离层，所述隔离层材质为介电常数与氧化物填充层材质的介电常数相近或相同的不含氧的材质；以及去除所述阻挡层以及阻挡层上方的隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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