[发明专利]晶圆减薄方法有效
| 申请号： | 201210328714.6 | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102832223A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 林峰;洪齐元 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆减薄方法，利用选择腐蚀液对所述器件晶圆的晶边氧化层执行刻蚀工艺，其中，所述选择腐蚀液对氧化层的刻蚀速率大于对器件晶圆的刻蚀速率，由此，弥补了分别利用SPINETCH-D和HNA对所述器件晶圆背面和器件晶圆的晶边氧化层执行两道刻蚀工艺中，器件晶圆和器件晶圆的晶边氧化层表面的高度差。同时，由于利用的是化学工艺，从而避免了物理工艺（即剪切工艺）所产生的器件晶圆的利用率低及器件晶圆的质量及可靠性低的问题，提高了最终所形成的图像传感器的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆减薄 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆，并对所述器件晶圆执行晶边剪切工艺；在器件晶圆正面和晶边形成氧化层；将器件晶圆与承载晶圆贴合，其中器件晶圆的正面氧化层位于所述器件晶圆和承载晶圆之间；分别利用SPINETCH‑D和HNA对器件晶圆背面和器件晶圆的晶边氧化层执行两道刻蚀工艺；利用选择腐蚀液对所述器件晶圆的晶边氧化层执行刻蚀工艺，其中，所述选择腐蚀液对氧化层的刻蚀速率大于对器件晶圆的刻蚀速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
