[发明专利]一种低锰铁基记忆合金用复合稀土添加剂无效
申请号: | 201210329566.X | 申请日: | 2012-09-08 |
公开(公告)号: | CN102794440A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 司松海;刘光磊;李晓薇;杨嵩;张扣山 | 申请(专利权)人: | 镇江忆诺唯记忆合金有限公司 |
主分类号: | B22D27/20 | 分类号: | B22D27/20;C22C38/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 212009 江苏省镇*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种低锰铁基记忆合金用复合稀土添加剂,属于记忆合金领域,其特征为:化学成分为:Nd20~28wt%、La8~15wt%、Y5~10wt%、Sc4~8wt%、Ce+Pr+Eu+Gd+Tb+Ho+Er+Tm+Lu为10~18wt%,V2~6wt%、B2~5wt%,余为铁。所述复合稀土添加剂为块状合金,熔点范围1000~1250℃,复合稀土添加剂加入量范围为0.4~1.0wt%。 | ||
搜索关键词: | 一种 锰铁 记忆 合金 复合 稀土 添加剂 | ||
【主权项】:
一种低锰铁基记忆合金用复合稀土添加剂,其特征为:化学成分为:Nd 20~28wt%、La 8~15wt%、Y 5~10wt%、Sc 4~8wt%、Ce+Pr + Eu +Gd +Tb +Ho +Er +Tm +Lu为10~18wt%,V 2~6wt%、B 2~5wt%,余为铁;所述复合稀土添加剂为块状合金,熔点范围1000~1250℃,复合稀土添加剂加入量范围为0.4~1.0wt%。
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