[发明专利]一种提高对位标记清晰度的方法有效
| 申请号： | 201210329883.1 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102856164A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 胡骏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种提高对位标记清晰度的方法，所述方法包括：在晶圆表面刻蚀对位标记；在所述晶圆上进行外延层的生长；去除对位标记上方生长的外延层，使得晶圆表面的对位标记露出。该方法通过在外延层生长之后增加一次光刻和刻蚀，将底层有对位标记的外延部分被刻蚀掉，使底层的标记显露出来，为后续的光刻步骤提供清晰可见的对位标记，消除了对位失败的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 对位 标记 清晰度 方法 | ||
【主权项】：
一种提高对位标记清晰度的方法，包括：在晶圆表面刻蚀对位标记；在所述晶圆上进行外延层的生长；去除覆盖对位标记部分的外延层，使得晶圆表面的对位标记露出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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