[发明专利]钽电容器无效
| 申请号： | 201210330406.7 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN103000380A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 赵泰衍 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/012 | 分类号： | H01G9/012;H01G9/14;H01G9/15 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈潇潇;南毅宁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种钽电容器，包括：通过烧结钽粉末形成的芯片烧结体；以及由铌（Nb）形成并具有由位于芯片烧结体内部的插入区和位于芯片烧结体外部的非插入区的阳极引出线，由于铌（Nb）丝用作阳极引出线，从而增强了阳极引出线与钽粉末的键合力，以便可以改善等效串联电阻（ESR）和泄漏电流（LC）特性。 | ||
| 搜索关键词： | 钽电容 | ||
【主权项】：
一种钽电容器，该钽电容器包括：通过烧结钽粉末形成的芯片烧结体；以及由铌（Nb）形成并具有位于所述芯片烧结体内部的插入区和位于所述芯片烧结体外部的非插入区的阳极引出线。
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