[发明专利]基于倒置工艺的射频功率管及其形成方法

摘要

本发明公开了一种基于倒置工艺的射频功率管及其形成方法，该方法包括：提供衬底；形成过渡层；形成源极连接线、漏极连接线和栅极连接线；在过渡层之上形成层间介质层，层间介质层填充在连接线之间；在层间介质层之上形成金属接触层，金属接触层与连接线相连；刻蚀金属接触层以形成互相平行的N个源极、N个漏极和2N-1个栅极，其中，源栅漏极按照源极-栅极-漏极-栅极的顺序依次相邻排列，N个源极与源极连接线相连，N个漏极与漏极连接线相连，2N-1个栅极与栅极连接线相连；形成栅极介质层；以及形成石墨烯薄膜作为沟道层。本发明的方法采用倒置工艺，易于实现、稳定可靠；本发明的器件具有倒置结构，源漏接触小、栅控能力强。

主权项

一种基于倒置工艺的射频功率管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底之上形成过渡层；在所述过渡层之上形成连接线，所述连接线包括源极连接线、漏极连接线和栅极连接线；在所述过渡层之上形成层间介质层，所述层间介质层填充在所述连接线之间；在所述层间介质层之上形成金属接触层，所述金属接触层与所述连接线相连；刻蚀所述金属接触层以形成互相平行的N个源极、N个漏极和2N‑1个栅极，其中，所述源极、栅极和漏极按照源极‑栅极‑漏极‑栅极的顺序依次相邻排列，N个所述源极与源极连接线相连，N个所述漏极与漏极连接线相连，2N‑1个所述栅极与所述栅极连接线相连，其中N为正整数；在所述栅极之上形成栅极介质层；以及在所述源极、漏极、和栅极介质层之上形成石墨烯薄膜作为所述基于倒置工艺的射频功率管的沟道层。