[发明专利]一种制造交叉点器件的方法在审
| 申请号： | 201210331129.1 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103682088A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;梁擎擎;杨达;罗军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;李家麟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造交叉点器件的方法，包括：提供半导体衬底；依次沉积第一金属层、存储器单元层以及第一硬掩膜层；利用相互平行且沿第一方向延伸的第一图案化聚合物作为掩膜，图案化所述第一硬掩膜层、存储器单元层以及第一金属层；去除第一图案化聚合物；沉积第一电介质层并平坦化以露出存储器单元层；依次沉积第二金属层以及第二硬掩膜层；利用相互平行且沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第二图案化聚合物作为掩膜，图案化所述第二硬掩膜层、第二金属层以及存储器单元层；去除第二图案化聚合物；以及沉积第二电介质层并平坦化以露出第二金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 交叉点 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造交叉点器件的方法，包括步骤：提供半导体衬底；依次沉积第一金属层、存储器单元层以及第一硬掩膜层；利用相互平行且沿第一方向延伸的第一图案化聚合物作为掩膜，图案化所述第一硬掩膜层、存储器单元层以及第一金属层；去除第一图案化聚合物；沉积第一电介质层并平坦化以露出存储器单元层；依次沉积第二金属层以及第二硬掩膜层；利用相互平行且沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第二图案化聚合物作为掩膜，图案化所述第二硬掩膜层、第二金属层以及存储器单元层；去除第二图案化聚合物；以及沉积第二电介质层并平坦化以露出第二金属层。
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