[发明专利]一种Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜电极的制备方法

摘要

本发明公开了一种Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜电极的制备方法，该方法为：一、将NiCo合金基片机械加工后打磨光亮，超声除油，去离子水清洗后自然风干；二、将NiCo合金基片置于水热反应釜中进行热处理，得到含Co的NiO纳米片阵列薄膜；三、焙烧得到Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜电极。本发明工艺步骤简单，劳动强度低，具有环境友好、制备成本低和可工业放大的优势，制备的Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜作为超级电容器的正极材料使用时，其比电容是未经改性的NiO纳米片阵列薄膜的2.5～3.8倍，电化学性能得到大幅提升，尤其是当放电电流密度提高20倍时，其比电容量仍能得到较好维持。

主权项

一种Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜电极的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、将厚度为100μm～300μm的NiCo合金基片机械加工成面积为3cm2～6cm2的片状，然后依次用150#、600#、1000#砂纸打磨光亮，再将打磨后的NiCo合金基片依次经有机溶剂超声除油和去离子水清洗后自然风干；所述NiCo合金基片中Co的质量含量为0.5%～5%；步骤二、将步骤一中自然风干后的NiCo合金基片平放在聚四氟乙烯平台上，然后一同置于容积为300mL～500mL的带四氟乙烯内衬的水热反应釜中，向水热反应釜和聚四氟乙烯平台之间的空隙中添加10mL～30mL去离子水，最后将水热反应釜密封后置于烘箱内，在温度为160℃～180℃的条件下利用蒸汽对NiCo合金基片进行3h～20h的热处理，得到含Co的NiO纳米片阵列薄膜；步骤三、将步骤二中所述含Co的NiO纳米片阵列薄膜置于马弗炉中焙烧，得到Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜电极。