[发明专利]半导电组合物有效
| 申请号： | 201210331508.0 | 申请日： | 2007-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN102875883A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | J·B·I·谢尔奎斯特;S·J·韩;M·A·曼格努斯;G·格特尔 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号： | C08L23/08 | 分类号： | C08L23/08;C08L23/04;H01B1/20 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王凤桐;周建秋 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是由以下成分所制成或含有以下成分的聚合物复合材料：（i）基本上由乙烯和具有4-20个碳原子的不饱和酯的极性共聚物组成的I相材料；（ii）基本上由非极性的、低密度聚乙烯组成的II相材料；和（iii）导电填料材料，该导电填料材料以足以等于或大于在I相材料和II相材料中产生连续的导电网络所需要的量，分散于I相材料和/或II相材料中。本发明还包括由该聚合物复合材料制成的制品。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 组合 | ||
【主权项】：
一种聚合物复合材料，该复合材料含有：（i）I相材料，该I相材料基本上由乙烯和不饱和酯的极性共聚物组成；（ii）II相材料，该II相材料基本上由非极性的、低密度聚乙烯组成；和（iii）导电填料材料，该导电填料材料以足以等于或大于在所述I相材料和II相材料中产生连续的导电网络所需要的量分散于所述I相材料和/或II相材料中。
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