[发明专利]基于倒置工艺的二维材料纳米器件及其形成方法

摘要

本发明公开了一种基于倒置工艺的二维材料纳米器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底之上形成过渡层；在过渡层之上形成金属走线层，并在金属走线层中填充层间介质以形成层间介质层；在层间介质层之上形成连接线，其中，连接线的至少一部分与金属走线层相连；在层间介质层之上形成金属接触层，金属接触层与连接线相连；刻蚀金属接触层以分别形成源极、漏极和栅极，其中，源极和漏极分别通过金属接触层与连接线相连；在栅极之上形成栅极介质层；以及在源极、漏极、和栅极的栅极介质层之上形成石墨烯薄膜作为沟道层。本发明的方法采用倒置工艺，易于实现、稳定可靠；本发明的器件具有倒置结构，源漏接触小、栅控能力强。

主权项

一种基于倒置工艺的二维材料纳米器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底之上形成过渡层；在所述过渡层之上形成金属走线层，并在所述金属走线层中填充层间介质以形成层间介质层；在所述层间介质层之上形成连接线，其中，所述连接线的至少一部分与所述金属走线层相连；在所述层间介质层之上形成金属接触层，所述金属接触层与所述连接线相连；刻蚀所述金属接触层以分别形成源极、漏极和栅极，其中，所述源极和漏极分别通过所述金属接触层与所述连接线相连；在所述栅极之上形成栅极介质层；以及在所述源极、漏极、和栅极的栅极介质层之上形成石墨烯薄膜作为所述基于倒置工艺的二维材料纳米器件的沟道层。