[发明专利]基于倒置工艺的双臂梁MEMS器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201210331661.3 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102862949A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 伍晓明;肖柯;吕宏鸣;钱鹤;吴华强 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于倒置工艺的双臂梁MEMS器件及其形成方法，该方法包括：提供衬底；依次在衬底上形成过渡层、底层电极和层间介质层；在层间介质层上形成上层电极层；刻蚀上层电极层和层间介质层以形成开口，露出底层电极的一部分，并且将上层电极层形成第一上层电极与第二上层电极；在第一上层电极与第二上层电极之上形成二维材料薄膜，其中，二维材料薄膜跨过开口；以及分别在二维材料薄膜两端上方形成第一金属接触和第二金属接触，其中，第一金属接触与第一上层电极的至少一部分相连，第二金属接触与第二上层电极的至少一部分相连。本发明的方法工艺成熟、易于实现，器件接触电阻小、稳定可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 倒置 工艺 双臂 mems 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种基于倒置工艺的双臂梁MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底之上形成过渡层；在所述过渡层之上形成底层电极；在所述底层电极之上形成层间介质层，其中，所述层间介质层覆盖所述底层电极；在所述层间介质层上形成上层电极层；刻蚀所述上层电极层和所述层间介质层以形成开口，露出所述底层电极的一部分，并且将所述上层电极层形成第一上层电极与第二上层电极；在所述第一上层电极与第二上层电极之上形成二维材料薄膜，其中，所述二维材料薄膜跨过所述开口；以及分别在所述二维材料薄膜两端上方形成第一金属接触和第二金属接触，其中，所述第一金属接触与所述第一上层电极的至少一部分相连，所述第二金属接触与所述第二上层电极的至少一部分相连。
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