[发明专利]一种用于硅基薄膜太阳能电池的新型复合n层薄膜无效
申请号: | 201210331902.4 | 申请日: | 2012-09-10 |
公开(公告)号: | CN102938423A | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 王志强;黄跃龙;高锦成;朱红兵;潘清涛;王颖;关峰;王光辉 | 申请(专利权)人: | 保定天威薄膜光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0328 | 分类号: | H01L31/0328;H01L31/0352 |
代理公司: | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 | 代理人: | 董金国 |
地址: | 071051 河北省保定市*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于硅基薄膜太阳能电池的新型复合n层薄膜,其包括至少一层n型微晶氧化硅层和至少一层n型微晶硅层,其中,n型微晶氧化硅(μc-SiOx:H)材料的折射率范围在1.5-2.5,薄膜总厚度范围在1纳米-150纳米。利用本发明,能够有效提高硅基薄膜太阳能电池短路电流密度和转化效率。此发明可以应用于硅基薄膜太阳能电池的工业生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 薄膜 太阳能电池 新型 复合 | ||
【主权项】:
一种用于硅基薄膜太阳能电池的新型复合n层薄膜,其特征在于其包括至少一层n型微晶氧化硅层(4‑1)和至少一层n型微晶硅层(4‑2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的