[发明专利]一种用于硅基薄膜太阳能电池的新型复合n层薄膜无效

专利信息
申请号: 201210331902.4 申请日: 2012-09-10
公开(公告)号: CN102938423A 公开(公告)日: 2013-02-20
发明(设计)人: 王志强;黄跃龙;高锦成;朱红兵;潘清涛;王颖;关峰;王光辉 申请(专利权)人: 保定天威薄膜光伏有限公司
主分类号: H01L31/0328 分类号: H01L31/0328;H01L31/0352
代理公司: 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 代理人: 董金国
地址: 071051 河北省保定市*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种用于硅基薄膜太阳能电池的新型复合n层薄膜,其包括至少一层n型微晶氧化硅层和至少一层n型微晶硅层,其中,n型微晶氧化硅(μc-SiOx:H)材料的折射率范围在1.5-2.5,薄膜总厚度范围在1纳米-150纳米。利用本发明,能够有效提高硅基薄膜太阳能电池短路电流密度和转化效率。此发明可以应用于硅基薄膜太阳能电池的工业生产。
搜索关键词: 一种 用于 薄膜 太阳能电池 新型 复合
【主权项】:
一种用于硅基薄膜太阳能电池的新型复合n层薄膜,其特征在于其包括至少一层n型微晶氧化硅层(4‑1)和至少一层n型微晶硅层(4‑2)。
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