[发明专利]一种用于制作超薄硅单晶片的化学刻蚀装置无效
| 申请号： | 201210331993.1 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681299A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李国岭;周锋子;徐力;郭金娥;徐信富 | 申请（专利权）人： | 洛阳鼎晶电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 471003 河南省洛*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种用于制作超薄硅单晶片的化学刻蚀装置,其包括:双层容器、多层塔架及加热组件；其中所述双层容器包括内层容器和外层容器，所述内层容器内盛装有化学刻蚀溶液，所述内层容器是能够相对于所述外层容器转动的设置于所述外层容器内；所述多层塔架固定于所述外层容器上，并浸入所述内层容器内的所述化学刻蚀溶液中；所述加热组件设置于所述内层容器与所述外层容器之间。本发明的化学刻蚀装置能够增加所盛装的化学刻蚀溶液的流动性，并对化学刻蚀溶液进行加热，因此可以增加化学刻蚀溶液的活性，从而可以大幅度的提高剥离超薄硅单晶片所附带的金属层的效率，并且其成本低廉，便于进行大规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制作 超薄 晶片 化学 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
一种用于制作超薄硅单晶片的化学刻蚀装置,其特征在于其包括:双层容器、多层塔架及加热组件；其中所述双层容器包括内层容器和外层容器，所述内层容器内盛装有化学刻蚀溶液，所述内层容器是能够相对于所述外层容器转动的设置于所述外层容器内；所述多层塔架固定于所述外层容器上，并浸入所述内层容器内的所述化学刻蚀溶液中；所述加热组件设置于所述内层容器与所述外层容器之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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