[发明专利]有源区的离子注入方法有效
| 申请号： | 201210332986.3 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681266A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 胡华勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种有源区的离子注入方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构，相邻的浅沟槽隔离结构之间的区域为有源区，所述有源区包括第一类型有源区和第二类型有源区，第一类型有源区和第二类型有源区的类型不同；形成图形化的吸光层，覆盖与第一类型有源区相邻的浅沟槽隔离结构；形成图形化的掩膜层，覆盖第二类型有源区以及所述图形化的吸光层；以所述图形化的掩膜层为掩膜对第一类型有源区进行离子注入。在本技术方案中，吸光层的存在避免出现光刻胶过曝光现象，避免对第一类型有源区进行离子注入时，掺杂离子对第二类型有源区造成掺杂，确保精确离子注入，使得最终形成的半导体器件具有较佳性能。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种有源区的离子注入方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构，相邻的浅沟槽隔离结构之间的区域为有源区，所述有源区包括第一类型有源区和第二类型有源区，第一类型有源区和第二类型有源区的类型不同；形成图形化的吸光层，覆盖与第一类型有源区相邻的浅沟槽隔离结构；形成图形化的掩膜层，覆盖第二类型有源区以及所述图形化的吸光层；以所述图形化的掩膜层为掩膜对第一类型有源区进行离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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